盖世汽车讯 据外媒报道，在下一代电子技术的进步中，北京大学量子材料科学中心与中国人民大学合作，成功制备出晶圆级二维硒化铟(InSe)半导体。在刘开辉教授的带领下，该团队开发了一种新颖的“固-液-固”生长策略，克服了二维半导体制造中长期存在的障碍。

这项研究以“用于集成电子器件的二维硒化铟晶圆”为题发表在期刊《Science》上，展示了其卓越的电子性能，超越了所有先前报道的二维薄膜器件。制备的InSe晶体管在室温下表现出超高的电子迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，为二维半导体树立了新的标杆。